Stable Organic Radical for Enhancing Metal–Monolayer–Semiconductor Junction Performance-Reference-Cited by-同舟云学术

Stable Organic Radical for Enhancing Metal–Monolayer–Semiconductor Junction Performance

Published:2023-01-16 Issue:3 Volume:15 Page:4635-4642
ISSN:1944-8244
Container-title:ACS Applied Materials & Interfaces
language:en
Short-container-title:ACS Appl. Mater. Interfaces

Author:

De Sousa J. Alejandro¹²^ORCID,Pfattner Raphael¹^ORCID,Gutiérrez Diego¹,Jutglar Kilian³,Bromley Stefan T.³⁴^ORCID,Veciana Jaume¹^ORCID,Rovira Concepció¹^ORCID,Mas-Torrent Marta¹^ORCID,Fabre Bruno⁵^ORCID,Crivillers Núria¹^ORCID

Affiliation:

1. Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB, CSIC), Campus de la UAB s/n, Bellaterra 081093, Spain

2. Laboratorio de Electroquímica, Departamento de Química, Facultad de Ciencias, Universidad de los Andes, 5101 Mérida, Venezuela

3. Departament de Ciència de Materials i Química Física & Institut de Química Teòrica i Computacional (IQTC), Universitat de Barcelona, c/Martí i Franquès 1-11, 08028 Barcelona, Spain

4. Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats (ICREA), E-08010 Barcelona, Spain

5. Univ Rennes, CNRS, ISCR (Institut des Sciences Chimiques de Rennes)-UMR 6226, F-35000 Rennes, France

Funder

Consejo Superior de Investigaciones Cient?ficas

Agencia Estatal de Investigaci?n

Ministerio de Ciencia e Innovaci?n

Ministerio de Econom?a y Competitividad

Generalitat de Catalunya

Universitat de les Illes Balears

Publisher

American Chemical Society (ACS)

Subject