Enhancing the Photon Absorption and Charge Carrier Dynamics of BaSnO<sub>3</sub> Photoanodes via Intrinsic and Extrinsic Defects-Reference-Cited by-同舟云学术

Enhancing the Photon Absorption and Charge Carrier Dynamics of BaSnO₃ Photoanodes via Intrinsic and Extrinsic Defects

Author:

Gahlawat Soniya¹²,Ahmet Ibbi Y.¹^ORCID,Schnell Patrick¹³,Levine Igal⁴^ORCID,Zhang Siyuan⁵^ORCID,Ingole Pravin P.²^ORCID,Abdi Fatwa F.¹^ORCID

Affiliation:

1. Institute for Solar Fuels, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany

2. Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Delhi, 110016 New Delhi, India

3. Institut für Chemie, Technische Universität Berlin, Straße des 17. Juni 124, 10623 Berlin, Germany

4. Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, Kekuléstr. 5, 12489 Berlin, Germany

5. Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, Max-Planck-Straße 1, 40237 Düsseldorf, Germany

Funder

Deutscher Akademischer Austauschdienst

AiF Projekt

Helmholtz-Gemeinschaft

Publisher

American Chemical Society (ACS)

Subject

Materials Chemistry,General Chemical Engineering,General Chemistry

Link

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