Ultralow-Voltage Field-Effect Transistors Using Nanometer-Thick Transparent Amorphous Indium–Gallium–Zinc Oxide Films

Author:

Mukherjee Arka1,Ottapilakkal Vishnu1,Sagar Srikrishna1,Das Bikas C.1ORCID

Affiliation:

1. Emerging Nanoelectronic Devices Research Laboratory (eNDR Lab), School of Physics, Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram (IISER TVM), Maruthamala PO, Vithura, Thiruvananthapuram 695551, Kerala, India

Funder

University Grants Commission

Science and Engineering Research Board

UK-India Education and Research Initiative

Publisher

American Chemical Society (ACS)

Subject

General Materials Science

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