Boron-Doping Proximity Effects on Dislocation Generation during Non-Planar MPCVD Homoepitaxial Diamond Growth

Author:

Lloret FernandoORCID,Eon David,Bustarret Etienne,Fiori Alexandre,Araujo Daniel

Funder

Horizon 2020 Framework Programme

Publisher

MDPI AG

Subject

General Materials Science,General Chemical Engineering

Reference17 articles.

1. Power SiC: Materials, Devices, Modules, and Applications Report,2017

2. HIGH-VOLTAGE DIAMOND SCHOTTKY RECTIFIERS

3. Synthetic Diamond: Emerging CVD Science and Technology Handbook;Spear,1994

4. Zr/oxidized diamond interface for high power Schottky diodes

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