MOS-Strukturen mit sperrseitig vorgespanntem externem pn-Übergang bei linearer Gatespannungsansteuerung. II. Bestimmung vonNst und σ
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference19 articles.
1. MOS-Strukturen mit sperrseitig vorgespanntem externem pn-Übergang bei linearer Gatespannungsansteuerung. I. Impulsstromverhalten
2. Charge pumping in MOS devices
3. Charge pumping and low-frequency noise in MOS structures
4. The use of charge pumping currents to measure surface state densities in MOS transistors
5. Impulsstromverhalten von MOS-Strukturen mit zum Substrat kurzgeschlossenem externem pn-Übergang bei linearer Gatespannungsansteuerung
Cited by 8 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献
1. An improved time domain analysis of the charge pumping current;Journal of Non-Crystalline Solids;2001-02
2. Chapter 6 Charge pumping techniques;New Insulators, Devices and Radiation Effects;1999
3. Ladungspumpeffekt in GaAs-MIS-Strukturen. I. Beschreibung des Effektes;Physica Status Solidi (a);1991-12-16
4. Interface-state measurement on SOS using the charge-pumping technique on gated-diode test structures;IEEE Transactions on Nuclear Science;1988
5. The use of charge pumping to characterize generation by interface traps;IEEE Transactions on Electron Devices;1986-07
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