Tunnel Field‐Effect Transistors Based on III–V Semiconductors
Author:
Publisher
Wiley
Link
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/pdf/10.1002/9781394228713.ch1
Reference60 articles.
1. Eight-bandk⋅pmodel of strained zinc-blende crystals
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4. Large On-Current Enhancement in Hetero-Junction Tunnel-FETs via Molar Fraction Grading
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