Thermal Oxidation
Author:
Publisher
John Wiley & Sons, Ltd
Reference19 articles.
1. Characterization of sub-micrometre silicon films (Si-LPCVD) heavily in situ boron-doped and submitted to treatments of dry oxidation;Aït-Kaki;Semicond. Sci. Technol.,2002
2. Understanding the limits of ultra-thin SiO2 and Si-O-N gate dielectrics for sub-50 nm CMOS;Green;Microelectron. Eng.,1999
3. Self-limiting and pattern dependent oxidation of silicon dots fabricated on silicon-on-insulator material;Heidemayer;J. Appl. Phys.,2000
4. High quality gate dielectric film on poly-silicon grown at room temperature using UV light excited ozone;Kameda;J. Electrochem. Soc.,2007
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