Characteristics of high-speed bipolar RAMs under address-skew condition

Author:

Yamaguchi Kunihiko,Homma Noriyuki

Publisher

Wiley

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Computer Networks and Communications,General Physics and Astronomy

Reference6 articles.

1. A 4.5 ns access time 1K x 4 bit ECL RAM

2. , , , , and . An ECL 4K-bit Bipolar RAM with an Effective Access Time of 2.5 ns and On-Chip Address Latches. Symp. VLSI Tech. Dig. Papers, pp. 52–53 (1984).

3. , , and . A 15-ns, 64K Bipolar SRAM. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Tech. Dig., pp. 50–51 (Feb. 1985).

4. , , , and . A 6-ns, 4K-bit bipolar RAM using switched load resistor memory cell. IEE Int. Solid-State Circuits Conf. Tech. Dig., pp. 108–109 (Feb. 1979).

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