Diffundierter Sauerstoff als dominierender flacher Akzeptor in p‐Typ Kupferiodid‐Dünnfilmen

Abstract

AbstractDie Langzeitstabilität des optisch transparenten p‐Typ‐Halbleiters Kupferiodid ist eine aktuelle Herausforderung, da die elektrische Leitfähigkeit von CuI‐Dünnfilmen empfindlich auf Umgebungseinflüsse reagiert. Deckschichten aus Aluminiumoxid erhöhen die Stabilität beträchtlich. Systematische Untersuchungen von Al2O3/CuI‐Heterostrukturen in Abhängigkeit der N2‐ oder O2‐Partialdrücke bei der Oxid‐Abscheidung zeigen, dass die elektrische Leitfähigkeit der CuI‐Filme durch die Sauerstoff‐Diffusion in Al2O3 und CuI bestimmt wird. Sauerstoff scheint somit als dominierender Akzeptor in CuI zu wirken. Die Diffusion des Umgebungs‐Sauerstoffs in CuI wurde mittels des 18O‐Isotopes verfolgt.