Group IV Alloys for Advanced Nano- and Optoelectronic Applications
Author:
Affiliation:
1. Peter Grünberg Institut-9 and JARA-FIT; Forschungszentrum Jülich GmbH; 52425 Jülich Germany
Publisher
John Wiley & Sons, Inc.
Reference13 articles.
1. Direct-gap group IV semiconductors based on tin;Goodman;IEE Proc. I: Solid State Electron Dev.,1982
2. Lasing in direct-bandgap GeSn alloy grown on Si;Wirths;Nature Photonics,2015
3. Study of Performances of Low-k Cu, CNTs, and Optical Interconnects
4. The direct and indirect bandgaps of unstrained SixGe1−x−ySny and their photonic device applications;Moontragoon;J. Appl. Phys.,2012
5. Direct-bandgap compositions of the CSiGeSn group-IV alloy;Soref;Opt. Mater. Express,2014
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