Propriétés des alliages InSb1−xBix I. Mesures électriques
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference11 articles.
1. , , et , Proc. Internat. Conf. Semicond., Exeter 1962 (p. 703).
2. Sur la structure de bandes des alliages HgTe-CdTe I. Mesures électriques
3. et , Proc. Internat. Conf. Semicond., Moscow 1968 (p. 1208).
4. Band structure of indium antimonide
5. Propriétés des alliages InSb1−xBix II. Absorption Optique
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1. Carrier mobility dependence of indium antimonide-bismide on carrier concentration, temperature, and bismuth composition grown on semi-insulating gallium arsenide substrate;Semiconductor Science and Technology;2024-05-02
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3. Dilute bismide and nitride alloys for mid-IR optoelectronic devices;Mid-infrared Optoelectronics;2020
4. InPBi Quantum Dots for Super-Luminescence Diodes;Nanomaterials;2018-09-10
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