Paper No 19.3: Back-Channel-Etch Process Flow for a-IGZO TFTs
Author:
Affiliation:
1. IMEC; Kapeldreef 75 3001 Leuven Belgium
2. ESAT, Katholieke Universiteit Leuven; Kasteelpark Arenberg 10 3001 Leuven Belgium
3. Holst Centre, High Tech Campus 31; 5656 AE Eindhoven The Netherlands
Publisher
Wiley
Link
http://onlinelibrary.wiley.com/wol1/doi/10.1002/sdtp.83/fullpdf
Reference10 articles.
1. Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors;Nomura;Nature,2004
2. Toward high-performance amorphous GIZO TFTs;Barquinha;J. Electrochem. Soc.,2009
3. Amorphous oxide semiconductors for high-performance flexible thin-film transistors;Nomura;Jpn. J. Appl. Phys.,2006
4. High performance indium-zinc-oxide thin-film transistors fabricated with a back-channel-etch-technique;Xu;Appl. Phys. Lett.,2011
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