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Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT on SiCOI substrates

  • Published:2005-04-11 Issue:7 Volume:2 Page:2607-2610
  • ISSN:1610-1634
  • Container-title:physica status solidi (c)
  • language:en
  • Short-container-title:phys. stat. sol. (c)

Author:

Fieger M.1,Dikme Y.1,Jessen F.1,Kalisch H.1,Noculak A.1,Szymakowski A.1,v. Gemmern P.1,Faure B.2,Richtarch C.2,Letertre F.2,Heuken M.34,Jansen R. H.1

Affiliation:

1. Institut für Theoretische Elektrotechnik, RWTH Aachen, Kopernikusstr. 16, 52074 Aachen, Germany

2. SOITEC S.A., Parc Technologique des Fontaines, F‐38190 Bernin, France

3. AIXTRON AG, Kackertstraße 15‐17, 52072 Aachen, Germany

4. Institut für Halbleitertechnik, RWTH Aachen, Templergraben 55, 52056 Aachen, Germany

Publisher

Wiley

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