Junction temperature analysis in green light emitting diode dies on sapphire and GaN substrates

Author:

Senawiratne J.,Zhao W.,Detchprohm T.,Chatterjee A.,Li Y.,Zhu M.,Xia Y.,Plawsky J. L.,Wetzel C.

Publisher

Wiley

Subject

Condensed Matter Physics

Reference8 articles.

1. GaInN∕GaN growth optimization for high-power green light-emitting diodes

2. Dislocation analysis in homoepitaxial GaInN/GaN light emitting diode growth

3. Temperature dependence of Raman scattering in single crystal GaN films

4. et al., in: Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, edited by M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, and M. S. Shur (John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001), pp. 1-30.

5. , , , , , , , and , unpublished (2007).

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