Keimbildung und Kristallwachstum bei der anodischen Bildung von Silbersulfatdeckschichten auf Silber in Schwefelsäure

Abstract

AbstractBei der anodischen Bildung von Silbersulfatdeckschichten auf Silber in Schwefelsäure unter galvanostatischen Bedingungen findet man experimentell, daß die Silbersulfatmenge, die sich bis zur vollständigen Abdeckung auf der Elektrodenoberfläche niederschlägt, bei hohen Stromdichten geringer als bei niedrigen ist. Wie eine Zählung der Silbersulfatkristalle ergibt, werden zu Beginn einer Elektrolyse sehr viele Kristallisationskeime gebildet, während später im wesentlichen nur das Wachstum der anfangs entstandenen Kriställchen stattfindet. Die Zahl dieser Kriställchen ist von der Stromdichte weitgehend unabhängig. Daher kann die erwähnte Abnahme der zur vollständigen Abdeckung erforderlichen Silbersulfatmenge nur dadurch zustandekommen, daß die einzelnen Sulfatkriställchen bei höheren Stromdichten stärker parallel als senkrecht zur Silberoberfläche wachsen. Dieses Verhalten läßt sich nicht aus einer Rechnung ableiten, in der nur lineare und homogene Beziehungen zwischen den das Wachstum bestimmenden Größen vorkommen.