1. Large‐band‐gap SiC, III‐V nitride, and II‐VI ZnSe‐based semiconductor device technologies
2. S. Sriram, G. Augustine, A. A. Burk, Jr., R. C. Glass, H. M. Hobgood, P. A. Orphanos, L. B. Rowland, R. R. Siergiej, T. J. Smith, C. D. Brandt, M. C. Driver, R. H. Hopkins, IEEE Electron. Device Lett. 1996, EDL-17, 369.
3. R. R. Siergiej, S. Sriram, R. C. Clarke, A. K. Agarwal, C. D. Brandt, A. A. Burk, Jr., T. J. Smith, A. Morse, P. A. Orphanos, Inst. Phys. Conf. Ser. No 142 Chap. 4, Int. Conf. SiC and Rel. Mater. 1995 (Eds: S. Nakashima, H. Matsunami, S. Yoshida, H. Harima), Institute of Physics Publishing, Bristol, UK 1995, p.769.
4. 1800 V NPN bipolar junction transistors in 4H-SiC
5. J. Richmond, S. H. Ryu, M. Das, S. Krishnaswami, S. Hodge, Jr., A. Agarwal, J. Palmour, Proc. IEEE 8thWPET2004, IEEE, Piscataway, NJ 2004, p. 37.