1. H. Y. Lee Y. S. Chen P. S. Chen P. Y. Gu Y. Y. Hsu S. M. Wang W. H. Liu C. H. Tsai S. S. Sheu P. C. Chiang W. P. Lin C. H. Lin W. S. Chen F. T. Chen C. H. Lien M. J. Tsai x 19.7.1 19.7.4 2010
2. High switching endurance in TaOx memristive devices
3. S. Muraoka T. Ninomiya Z. Wei K. Katayama R. Yasuhara T. Takagi T62 T63 2013
4. C. H. Wang Y. H. Tsai K. C. Lin M. F. Chang Y. C. King C. J. Lin S. S. Sheu Y. S. Chen H. Y. Lee F. T. Chen M. J. Tsai 2 29.6.1 29.6.4 2010
5. M. J. Kim I. G. Baek Y. H. Ha S. J. Baik J. H. Kim D. J. Seong S. J. Kim Y. H. Kwon C. R. Lim H. K. Park D. Gilmer P. Kirsch R. Jammy Y. G. Shin S. Choi C. Chung 19.3.1 19.3.4 2010