Growth Characteristics of GaAlAs Layers Obtained by Long Term Finite Melt Liquid Phase Epitaxy
Author:
Publisher
Wiley
Subject
Condensed Matter Physics,General Materials Science,General Chemistry
Reference14 articles.
1. Investigation of a new LPE method of obtaining AlGaAs heterostructures
2. The application of numerical methods to simulate the liquid phase epitaxial growth of Ga1 −xAlxAs from an unstirred solution
3. Improvement of Crystal Composition in Ga1-xAlxAs LPE Layers Grown under Conditions of Constant Cooling Rate
4. Bestimmung der zusammensetzung von ternären III–V-verbindungshalbleitern aus dem spektrum der oberflächenfotospannung
5. Variation of Solid Composition and Thickness during LPE Growth of Al x Ga1 − x As
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