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Photoluminescence studies of Eu-implanted GaN epilayers

  • Published:2005-06 Issue:7 Volume:242 Page:1491-1496
  • ISSN:0370-1972
  • Container-title:physica status solidi (b)
  • language:en
  • Short-container-title:phys. stat. sol. (b)

Author:

Katchkanov V.,O'Donnell K. P.,Dalmasso S.,Martin R. W.,Braud A.,Nakanishi Y.,Wakahara A.,Yoshida A.

Publisher

Wiley

Subject

Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference16 articles.

1. and Optical Spectroscopy of Inorganic Solids (Clarendon Press, Oxford, 1989).

2. Laser Crystals: Their Physics and Properties, 2nd edition (Spinger-Verlag, Berlin, 1990).

3. Luminescence of erbium implanted in various semiconductors: IV, III-V and II-VI materials

4. Recent developments in rare-earth doped materials for optoelectronics

5. Red light emission by photoluminescence and electroluminescence from Eu-doped GaN

Cited by 10 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

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