Explorando a Assimetria do Dimensionamento de Transistores CMOS em Portas Complexas

Author:

Mandowski Vítor de MeloORCID,Kessler Henrique C.ORCID,Rosa Júnior Leomar Soares daORCID

Abstract

Para projetar portas lógicas com eficiência, é crucial dimensionar os transistores adequadamente, buscando otimizar área, atraso de propagação e consumo de potência. Para dimensionar os transistores, existem na literatura técnicas amplamente utilizadas, contudo, acredita-se que um modelo alternativo de dimensionamento possa oferecer melhores resultados para as portas complexas. Neste contexto, o presente trabalho explorou um dimensionamento assimétrico de transistores em portas complexas, resultando em ganhos no atraso de propagação em portas lógicas com grandes cargas de saída.

Publisher

Universidade Federal de Santa Maria

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