Foundation of rf CMOS and SiGe BiCMOS technologies

Author:

Dunn J. S.,Ahlgren D. C.,Coolbaugh D. D.,Feilchenfeld N. B.,Freeman G.,Greenberg D. R.,Groves R. A.,Guarin F. J.,Hammad Y.,Joseph A. J.,Lanzerotti L. D.,St.Onge S. A.,Orner B. A.,Rieh J.-S.,Stein K. J.,Voldman S. H.,Wang P.-C.,Zierak M. J.,Subbanna S.,Harame D. L.,Herman D. A.,Meyerson B. S.

Publisher

IBM

Subject

General Computer Science

Cited by 61 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. Laser-induced single event effect on SiGe BiCMOS low noise amplifier;Acta Physica Sinica;2024

2. An Overview of Fully On-Chip Inductors;Radioengineering;2023-04

3. n-MOS Transistor Impact Ionization Boosted by Cumulative Stress Degradation in a 250-nm SiGe BiCMOS Technology;IEEE Journal of the Electron Devices Society;2023

4. Millimeter-Wave Silicon Passive Components;Lecture Notes in Electrical Engineering;2022

5. Surface stress of nano-crystals;Materials Chemistry and Physics;2021-11

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