Cosmic Ray Ruggedness of Power Semiconductor Devices for Hybrid Vehicles
Author:
Affiliation:
1. Toyota Motor Corporation
2. Toyota Central R&D Labs.
Publisher
Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan)
Subject
Electrical and Electronic Engineering
Link
http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/130/6/130_6_934/_pdf
Reference7 articles.
1. (1) 松田秀雄.藤原 隆.日吉道明.西谷和展.桑子 彰.池原 正:「パワーデバイスへの宇宙線の影響」,電学電子デバイス, 半導体電力変換合同研資 EDD-94-47, SPC-94-69, pp. 69-75 (1994)
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3. (3) E. Normand, J. L. Wert, D. L. Oberg, P. R. Majewski, P. Voss, and S. A. Wender : “Neutron-Induced Single Event Burnout in High Voltage Electronics”, IEEE Trans. Neclear Science, Vol. 44, No. 6, p. 2358 (1997)
4. (4) H. Zeller : “Cosmic Ray Induced Failures in High Power Semiconductor Devices”, Microelectronics Reliability, Vol. 37, No. 10-11, p. 1711 (1997)
5. The effect of sea level cosmic rays on electronic devices
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