Si Crystal for Power Devices
Author:
Publisher
Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan)
Subject
Electrical and Electronic Engineering
Link
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejjournal/137/10/137_675/_pdf
Reference2 articles.
1. (1) 山本秀和：パワーデバイス，コロナ社（2012）
2. (2) 田島道夫・干川圭吾・宝来正隆・鹿島一日兒・山本秀和・沓掛健太朗：「シリコン結晶 その現状と将来展望」，応用物理，Vol.84, No.5, pp.444-451（2014）
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1. Evaluation of Internal Structure of GaN High Electron Mobility Transistor;IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines;2022-12-01
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