Peculiarities of the radiation defects generation and their isochronal annealing in monocrystalline n-Si+4at%Ge:P alloy
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Association For Science (Publications)
Reference3 articles.
1. Londos C. A., Sgourou E. N., Hall D., Chroneos A., Vacancy-oxygen defects in silicon: the impact of isovalent doping, J. Mater Sci: Mater Electron, 2014, № 25, p.2395–2410.
2. Londos C.A., Andrianakis A., Emtsev V., Ohyama H., Radiation-induced defects in Czochralski-grown silicon containing carbon and germanium, Semicond. Sci. Technol., 2009, vol. 24, № 075002, p.1-7.
3. Chroneos A., Sgourou E. N., Londos C. A., Schwingenschlögl U., Oxygen defect processes in silicon and silicon germanium, Applied Physics Reviews, 2015, № 2, p.021306-1 – 021306-16.
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