Changes in thermal conductivity and bandgap of SiC single crystals in accordance with thermal stress
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Physical and Theoretical Chemistry,Condensed Matter Physics,Instrumentation
Reference26 articles.
1. Advances in silicon carbide electronics;Zolper;Mater. Res. Soc. Bull.,2005
2. Silicon carbide power field-effect transistors;Zhao;Mater. Res. Soc. Bull.,2005
3. GaN, AlN, and InN. A review;Strite;J. Vac. Sci. Technol. B,1992
4. Large-band-gap SiC, III–V nitride, and II–VI ZnSe-based semiconductor device technologies;Morkoc;J. Appl. Phys.,1994
5. Polytype distribution in silicon carbide;Frevel;J. Mater. Sci.,1992
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