First principles investigation on the Boron‐VA (VA=N, P, As, Sb) complexes in diamond for possible n-type conductivity
Author:
Funder
National Natural Science Foundation of China
Fundamental Research Funds for the Central Universities
Publisher
Elsevier BV
Reference44 articles.
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2. A dawn for carbon electronics?;Amaratunga;Science,2002
3. Recent progress in Ga2O3 power devices;Higashiwaki;Semicond. Sci. Tech.,2016
4. High RF output power for H-terminated diamond FETs;Kasu;Diam. Relat. Mater.,2006
5. Synthetic pathway of shallow n-type donor: theoretical study of Li and B co-doped diamonds;Zhang;Diam. Relat. Mater.,2024
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