Double π-gate AlGaN/GaN HEMT with reduced surface and buffer traps and enhanced reliability

Author:

Venkateswarlu Rayabarapu,Acharya Bibhudendra,Mishra Guru Prasad

Publisher

Elsevier BV

Reference34 articles.

1. GaN-on-Si HEMTs for wireless base stations;Iucolano;Mater. Sci. Semicond. Process.,2019

2. AlGaN/GaN HEMTs - an overview of device operation and applications;Mishra;Proc. IEEE,2002

3. GaN microwave electronics;Mishra;IEEE Trans. Microw. Theory Tech.,1998

4. Gallium nitride devices for power electronic applications;Baliga;Semicond. Sci. Technol.,2013

5. Modeling of wide-bandgap power semiconductor devices - part II;Santi;IEEE Trans. Electron Devices,2015

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