On the formation and structural properties of hexagonal rare earth (Y, Gd, Dy, Er and Yb) disilicide thin films

Author:

Geenen F.A.,Knaepen W.,Demeulemeester J.,De Keyser K.,Jordan-Sweet J.L.,Lavoie C.,Vantomme A.,Detavernier C.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Metals and Alloys,Mechanical Engineering,Mechanics of Materials

Reference24 articles.

1. Rare earth overlayers on silicon;Netzer;J. Phys.: Condens. Matter,1995

2. The formation of silicides from thin films of some rare-earth metals;Baglin;Appl. Phys. Lett.,1980

3. The Schottky barrier height of the contacts between some rare-earth metals (and silicides) and p-type silicon;Norde;Appl. Phys. Lett.,1981

4. Epitaxial growth of rare-earth silicides on (111)Si;Knapp;Appl. Phys. Lett.,1986

5. Oxidation suppression in Ytterbium silicidation by Ti/Ti N bicapping layer;Jiang;J. Vac. Sci. Technol. A: Vac. Surf. Films,2007

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