P-type GaN powders obtained by nitridation of Ga-Mg liquid metallic solution

Author:

Gastellóu Erick,Morales Crisoforo,García Rafael,García Godofredo,Hirata Gustavo A.,Herrera Ana M.,Galeazzi Reina,Rosendo Enrique,Díaz Tomas,Tejeda Elías M.

Funder

CONACyT

CIDS-ICUAP-BUAP

VIEP

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Metals and Alloys,Mechanical Engineering,Mechanics of Materials

Reference36 articles.

1. The Blue Laser Diode;Nakamura,2000

2. Band gap energy and band lineup of III – V alloy semiconductors incorporating nitrogen and boron;Sakai;Jpn. J. Appl. Phys.,1993

3. GaN: processing, defects, and devices;Pearton;J. Appl. Phys.,1999

4. GaN nanowire lasers with low lasing thresholds;Gradečak;Appl. Phys. Lett.,2005

5. Basic ammonothermal GaN growth in molybdenum capsules;Pimputkar;J. Cryst. Growth,2016

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