Application of equilibrium thermodynamics to the development of diffusion barriers for copper metallization (invited)

Author:

Ramberg C.E,Blanquet E,Pons M,Bernard C,Madar R

Publisher

Elsevier BV

Subject

Electrical and Electronic Engineering,Surfaces, Coatings and Films,Condensed Matter Physics,Atomic and Molecular Physics, and Optics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference26 articles.

1. S.Q. Wang, MRS Bull. August (1994) 30–40.

2. Amorphous Ta–Si–N thin‐film alloys as diffusion barrier in Al/Si metallizations

3. Ternary amorphous metallic thin films as diffusion barriers for Cu metallization

4. Scientific Group Thermodata Europe, LTPCM, 1130 rue de la Piscine, 38402 Saint Martin d’Hères, France.

5. COST 507 Thermochemical Database for Light Metal Alloys, in: I. Ansara, A.T. Dinsdale, M.H. Rand (Eds.), EUR 18499 EN, vol. 2 (1998).

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