III-N Epitaxy on Si for Power Electronics

Author:

Charles M.,Baines Y.,Morvan E.,Torres A.

Publisher

Elsevier

Reference121 articles.

1. An industrial 650V GaN DHEMT cascode technology;Tack;ECS Trans.,2014

2. Power electronics with wide bandgap materials: toward greener, more efficient technologies;Iacopi;MRS Bull.,2015

3. 99.3% efficiency of three-phase inverter for motor drive using GaN-based gate injection transistors;Morita,2011

4. Progress and prospect of the growth of wide band gap group III nitrides: development of the growth method for single crystal bulk GaN;Amano;Jpn. J. Appl. Phys.,2013

5. Current status and future prospects of GaN substrates for green devices;Doi;Sensors Mater.,2013

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