MOCVD growth of Er-doped III-N and optical-magnetic characterization
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Publisher
Elsevier
Reference42 articles.
1. Current-injected 1.54μm light emitting diodes based on erbium-doped GaN;Dahal;Appl. Phys. Lett.,2008
2. Erbium-doped GaN optical amplifiers operating at 1.54 microns;Dahal;Appl. Phys. Lett.,2009
3. 1.54μm emitters based on erbium doped InGaN p-i-n junctions;Dahal;Appl. Phys. Lett.,2010
4. Er-doped GaN and InGaN for optical communications;Dahal,2010
5. Zener model description of ferromagnetism in zinc-blende magnetic semiconductors;Dietl;Science,2000
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1. Dilute Magnetic III-N Semiconductors Based on Rare Earth Doping;ECS Journal of Solid State Science and Technology;2019
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