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Submicron-meter polycrystalline-SiGe thin-film transistors with tunneling field-effect-transistor structure

  • Published:2010-12 Issue:12 Volume:54 Page:1686-1689
  • ISSN:0038-1101
  • Container-title:Solid-State Electronics
  • language:en
  • Short-container-title:Solid-State Electronics

Author:

Juang M.H.,Peng Y.S.,Wang J.L.,Shye D.C.,Hwang C.C.,Jang S.L.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference14 articles.

1. Hayashi F, Ohkubo H, Takahashi T, Horiba S, Noda K, Uchida T, et al. Int Electron Dev Meet Tech Dig; 1996. p. 283.

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Cited by 3 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献，注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献，订阅后可以查看论文全部施引文献

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