On the applicability of the Natori formula to realistic multi-layer quantum well III–V FETs

Author:

Gili A.,Xanthakis J.P.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials

Reference19 articles.

1. Quantum heterostructures;Mitin,1999

2. Quantum transport atom to transistor;Datta,2005

3. Elementary scattering theory of the Si MOSFET;Lundstrom;IEEE Electron Device Lett,1997

4. Essential physics of carrier transport in nanoscale MOSFETs;Lundstrom;IEEE Trans Electron Devices,2002

5. Ballistic metal-oxide-semiconductor field effect transistor;Natori;J Appl Phys,1994

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