Interface and Schottky barrier formation in the Gd/GaAs(110) system
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Surfaces, Coatings and Films,Surfaces and Interfaces,Condensed Matter Physics
Reference7 articles.
1. Temperature effects for Ti/GaAs(110) interface formation involving cluster and atom deposition
2. Trends in temperature-dependent Schottky barrier formation: The Ga/GaAs and Mn/GaAs interfaces
3. EF pinning at the Sn/GaAs(110) interface
4. Sm/GaAs(110) interface formation: Surface instabilities and kinetic constraints
5. The mechanisms of Schottky barrier pinning in III–V semiconductors: Criteria developed from microscopic (atomic level) and macroscopic experiments
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