Molecular Dynamics Simulations of Atomic H Etching SiC Surface
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Elsevier BV
Subject
General Engineering
Reference18 articles.
1. C. H. H. R. H. Jones, Jr., J. Nucl.Mater. 219/2 (1995) 55.
2. M. C. F. Gou, Z.T. Zhouling, Qiu Qian, Applied Surface Science. 253/20 (2007) 8517 .
3. R.J. Price, Nuclear Technology. 35/(1977) 320.
4. B.-W. L. Dean-Mo Liu Ceramics International. 22/5 (1996) 407.
5. L. L. S. Y. Katoha, C.H. Henager Jr., A. Hasegawa, A. Kohyama, B. Riccardi and H. Hegeman, Journal of Nuclear Materials. 367-370/(2007) 659.
Cited by 2 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献
1. Molecular Dynamics Simulation Studies of Properties, Preparation, and Performance of Silicon Carbide Materials: A Review;Energies;2023-01-20
2. Epitaxial synthesis of graphene on 4H-SiC by microwave plasma chemical vapor deposition;Materials Research Express;2020-11-01
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