Chapter 3 Semiconductor Lasers with Wavelengths Exceeding 2 μm

Author:

Horikoshi Yoshiji

Publisher

Elsevier

Cited by 7 articles. 订阅此论文施引文献 订阅此论文施引文献,注册后可以免费订阅5篇论文的施引文献,订阅后可以查看论文全部施引文献

1. LEAD COMPOUNDS;Compound Semiconductor Bulk Materials and Characterizations;2012-12

2. ISOVPE MCT films grown on pure and alloyed CdTe substrates with different crystalline orientations;Journal of Crystal Growth;2006-09

3. GaSb-based mid-infrared 2–5 μm laser diodes;Comptes Rendus Physique;2003-07

4. ADVANCED SEMICONDUCTOR LASERS IN THE 3-10 μm WAVELENGTH RANGE;International Journal of High Speed Electronics and Systems;2000-03

5. InAs-based laser double heterostructures with p-n junction in the active region;Optical Materials;1996-07

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