1. reliable approach to charge pumping measurements in MOS transistors;Groeseneken;IEEE Trans. Electron Devices,1984
2. F. Djahli, Mise au point d'un dispositif expérimental pour l’étude des structures MOS: application à l’étude du vieillissement des TMOS microniques par la technique de pompage de charge, Thèse Doct., Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 1992, 141p.
3. A macro model in SMART SPICE to study MOSFET degradations with the CP technique;Djahli;Microelectronics J.,1998
4. Three-level charge pumping on submicronic MOS transistors;Autran;Solid State Commun.,1992
5. Nature et mécanismes de création des défauts induits à l'interface Si–SiO2 par injections homogènes de porteurs à travers l'oxyde de grille,;Vuillaume;J. Phys.,1992