Growth and impact of intrinsic interlayers in high temperature vapor phase epitaxy of GaN
Author:
Funder
German Research Foundation
Sächsische Aufbaubank
Publisher
Elsevier BV
Reference37 articles.
1. The 2018 GaN power electronics roadmap;Amano;J. Phys.: Condens. Matter,2018
2. Dislocation reactions in hetero-epitaxial (0001) GaN layers;Meng;Phys. Status Solidi A,2011
3. Reduction mechanisms for defect densities in GaN using one- or two-step epitaxial lateral overgrowth methods;Vennéguès;J. Appl. Phys.,2000
4. On the origin of threading dislocations in GaN films;Moram;J. Appl. Phys.,2009
5. GaN single crystalline substrates by ammonothermal and HVPE methods for electronic devices;Grabianska;Electronics,2020
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