Diffusion of oxygen in bulk GaN crystals at high temperature and at high pressure

Author:

Sadovyi B.,Nikolenko A.,Weyher J.L.,Grzegory I.,Dziecielewski I.,Sarzynski M.,Strelchuk V.,Tsykaniuk В.,Belyaev O.,Petrusha I.,Turkevich V.,Kapustianyk V.,Albrecht M.,Porowski S.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

Reference30 articles.

1. III-Nitride Semiconductors and Their Modern Devices;Gil,2013

2. A. Grant, Blue LEDs win Nobel Prize in physic, in: Science News Online, October 7, 2014.

3. Development of the bulk GaN substrate market;Hanser,2010

4. Oxygen diffusion into GaN from oxygen implanted GaN or Al2O3;Jakiela;Physica Status Solidi C: Curr. Top. Solid State Phys.,2011

5. Oxygen diffusion into SiO2-capped GaN during annealing;Pearton;Appl. Phys. Lett.,1999

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