1. J. Wang, Y. Kikuchi, Y. Tateshita, T. Kato, T. Kataoka, T. Hirano, K. Nagano, T. Ikuta, Y. Miyanami, S. Fujita, S. Hiyama, R. Yamamoto, S. Kanda, S. Yamakawa, T. Kimura, K. Kugimiya, N. Yamagishi, Y. Tagawa, Y. Kamide, H. Iwamoto, T. Ohno, M. Saito, S. Kadomura, N. Nagashima, Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 2006, p. 238.
2. Y. Tateshita, T. Imoto, Y. Kikuchi, J. Wang, T. Kataoka, Y. Miyanami, H. Ikeda, S. Fujita, T. Landin, C. Arena, H. Iwamoto, T. Ohno, T. Kobayashi, M. Saito, S. Kadomura, N. Nagashima, Extented Abstracts of the International Conference on Solid State Devices and Materials, 2005, p. 904.
3. N. Yasutake, K. Ohuchi, M. Fujiwara, K. Adachi, A. Hokazono, K. Kojima, N. Aoki, H. Suto, T. Watanabe, T. Morooka, H. Mizuno, S. Magoshi, T. Shimizu, S. Mori, H. Oguma, T. Sasaki, M. Ohmura, K. Miyano, H. Yamada, H. Tomita, D. Matsushita, K. Muraoka, S. Inaba, M. Takayanagi, K. Ishimaru, H. Ishiuchi, Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, 2004, p. 84.
4. H. Wakabayashi, T. Tatsumi, N. Ikarashi, M. Oshida, H. Kawamoto, N. Ikezawa, T. Ikezawa, T. Yamamoto, M. Hane, Y. Mochizuki, T. Mogami, International Electron Devices Meeting Technical Digest, 2005, p. 151.
5. Arsenic surface segregation during in situ doped silicon and Si1−xGex molecular beam epitaxy