DEFECT REDUCTION OF GaAs ON Si BY ALLOY STRAINED SUPERLATTICE LAYERS
Author:
Publisher
Elsevier
Reference15 articles.
1. Growth of Single Domain GaAs Layer on (100)-Oriented Si Substrate by MOCVD
2. Reduction of Dislocation Density in GaAs/Si by Strained-Layer Superlattice of InxGa1-xAs-GaAsyP1-y
3. Growth of GaAs on Si by MOVCD
4. T. Soga, T. Jimbo, T. Imori and M. Umeno Tech. Dig. of Intern. PVSEC-3, Tokyo, 1987, p. 481.
5. MOCVD growth of GaAs on Si substrates with AlGaP and strained superlattice layers
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