Incorporation and activation of group V elements in MOVPE-grown CdxHg1-xTe

Author:

Capper P.,Maxey C.D.,Whiffin P.A.C.,Easton B.C.

Publisher

Elsevier BV

Subject

Materials Chemistry,Inorganic Chemistry,Condensed Matter Physics

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1. HgCdTe Device Technology;Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors;2023

2. Growth of Arsenic-Doped Hg1– xCdxTe (x ~ 0.4) Epilayers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition;Inorganic Materials;2019-10

3. MOVPE Growth of Cadmium Mercury Telluride and Applications;Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE);2019-08-30

4. Narrow Bandgap II-VI Semiconductors: Growth;Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials;2017

5. Recent progress in LWIR HOT photoconductors based on MOCVD grown (100) HgCdTe;Semiconductor Science and Technology;2016-09-01

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