Tilt boundary formation in GeSi/Si (001) vicinal heterosystem
Author:
Funder
Integration Interdisciplinary Project of SB RAS
Russian Foundation for Basic Research (RFBR)
Publisher
Pensoft Publishers
Subject
Automotive Engineering
Reference10 articles.
1. GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering;Bolkhovityanov;Physics-Uspekhi,2008
2. Structure of vapor-deposited GaxIn1−xAs crystals;Nagai;J. Appl. Phys.,1974
3. Interface roughness of GaAs/AlAs superlattices MBE-grown on vicinal surfaces;Auvray;Appl. Surf. Sci.,1991
4. Crystallographic tilting in latticemismatched heteroepitaxy: a Dodson–Tsao relaxation approach;Riesz;J. Appl. Phys.,1996
5. Crystallographic tilting in high-misfit (100) semiconductor heteroepitaxial systems;Riesz;J. Vac. Sci. Technol. A,1996
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