The influence of metal work function on electrical properties of metal/ a-SiC:H Schottky diodes

Author:

Magafas L.,Georgoulas N.,Thanailakis A.

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

Reference22 articles.

1. a-Si1−xCx:H alloys for multijunction solar cells;Catalano;IEEE Trans. Electron Devices,1990

2. New a-SiC, optically controlled thyristor-like switch;Dimitriadis;Electronics Lett.,1992

3. Amorphous silicon/silicon carbide heterojunction bulk unipolar diodes (HEBUD);Jwo;IEEE Electron Device Lett.,1986

4. Amorphous Al/n+a-SiC/i a-SiCp+a-SiC/i a-Si/n+a-SiC heterojunction phototransistor with high gain and high speed;Chang,1986

5. The amorphous Si/SiC heterojunction color sensitive phototransistor;Chang;IEEE Electron Device Lett.,1987

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