High doped MBE Si p–n and n–n heterojunction diodes on 4H-SiC

Author:

Pérez-Tomás A.,Jennings M.R.,Davis M.,Shah V.,Grasby T.,Covington J.A.,Mawby P.A.

Publisher

Elsevier BV

Subject

General Engineering

Reference16 articles.

1. Power conversion with SiC devices at extremely high ambient temperatures;Funaki;IEEE Trans. Power Elect.,2007

2. Cree Inc., 4600 Silicon Dr., Durham, NC 27703, 〈www.cree.com/power〉, part #CID150660B, datasheet CID150660 Rev. A.

3. Infineon Technologies AG, P.O. Box 80 09 49, D-81609 München, Germany, 〈www.infineon.com/sic〉, part #SDT12S60, datasheet SDT12S60 Rev.2.2.

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5. United Silicon Carbide Inc., New Brunswick, NJ 08901, 〈www.unitedsic.com/products.html〉.

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