A semi-cellular Z-type Gate SOI-LDMOS with Improved Gate Control Capability
Author:
Publisher
Elsevier BV
Reference21 articles.
1. Specific on-resistance reduction for the LDMOS using separated composite dielectric trenches;Yao;IEEE Trans. Electron. Dev.,2024
2. A split triple-gate power LDMOS with improved static-state and switching performance;Wei;IEEE Trans. Electron. Dev.,2019
3. A novel LDMOS with optimized electric field distribution to eliminate substrate assisted depletion effect;Zhu;Microelectron. J.,2022
4. Bulk electron accumulation LDMOS with extended superjunction gate;Chen;IEEE Trans. Electron. Dev.,2022
5. Compact modeling of fin-LDMOS transistor based on the surface potential;Pak;Silicon,2020
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