Efficiency Improvement by Deeper Emitter with Lower Sheet Resistance for Uniform Emitters

Author:

Komatsu Y.,Koorn M.,Vlooswijk A.H.G.,Venema P.R.,Stassen A.F.

Publisher

Elsevier BV

Reference8 articles.

1. High concentration in-diffusion of phosphorus in Si from a spray-on source

2. Measurements of bandgap narrowing in Si bipolar transistors

3. Minority carrier recombination in heavily-doped silicon

4. 24th EU-Photovoltaic Solar Energy Conference;Komatsu;Hamburg,2009

5. Sze SM, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, 2nd ed., New York, 1981.

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