Auger-rekombination im mittelgebiet durchlassbelasteter silizium-gleichrichter und -thyristoren
Author:
Publisher
Elsevier BV
Subject
Materials Chemistry,Electrical and Electronic Engineering,Condensed Matter Physics,Electronic, Optical and Magnetic Materials
Reference8 articles.
1. Die räumliche verteilung der rekombination in legierten silizium-psn-gleichrichtern bei belastung in durchlassrichtung
2. J. Krausse, eingereicht bei Solid-St. Electron.
3. Messung der ladungsträger-konzentrationsverteilung im mittelgebiet eines legierten silizium-psn-gleichrichters bei belastung in durchlassrichtung
4. The High Current Limit for Semiconductor Junction Devices
5. Die abhängigkeit der trägerbeweglichkeit in silizium von der konzentration der freien ladungsträger—I
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3. Assessment and parameterisation of Coulomb-enhanced Auger recombination coefficients in lowly injected crystalline silicon;Journal of Applied Physics;1997-11-15
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