Characterization and Modeling of SAGCM InP/InGaAs Avalanche Photodiodes for Multigigabit Optical Fiber Communications

Author:

Ma C.L.F.,Deen M.J.,Tarof L.E.

Publisher

Elsevier

Reference121 articles.

1. “10-Gb/s high-speed monolithically integrated pholoreceivcr using InGaAs p-i-n PD and planar doped InAlAs/InGaAs HEMTs.”;Akahori;IEEE Photon. Teclmol. Lett.,1992

2. “Temperature Dependence of the Breakdown and Punchthrough Voltages, and Ionization Coefficients in SAGCM InP/InGaAs Photodi-odes”;An,1996

3. “Threshold energies for electron-hole pair production hy impact ionization in semiconductors,”;Anderson;Phys. Rev.,1972

4. “Impact ionization in (100)-, (110), and (111)-oriented InP avalanche photodiodes,”;Armiento;Appl. Phys. Lett.,1983

5. “Modelling of Breakdown Voltage of InP/InGaAs Avalanche Photodiodes at Low Temperatures”;Bandyopadhyay,1997

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